2026年碳化硅技术专利布局最新报告
2026年碳化硅技术专利布局最新报告 图表
| 合肥晶合集成电路股份有限公司 | 66 |
| 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 59 |
| 华虹半导体（无锡）有限公司 | 58 |
| 西安交通大学 | 50 |
| 哈尔滨工业大学 | 48 |
| 台湾积体电路制造股份有限公司 | 47 |
| 山东大学 | 47 |
| 西安电子科技大学 | 39 |
| 华虹半导体制造（无锡）有限公司 | 38 |
| 浙江爱旭太阳能科技有限公司 | 38 |
数据解读与趋势分析
本报告基于佰腾科技大数据中心对2026年至今全球碳化硅技术专利的统计，共检索到7,170件相关专利。碳化硅（SiC）作为第三代半导体核心材料，在新能源汽车、光伏逆变、高压快充等场景需求旺盛，2026年以来专利布局热度极高。从申请人排名看，合肥晶合集成以66件领跑，华虹系（宏力、无锡）合计155件形成强大阵营，台积电、西安交大、哈工大、山东大学等密集上榜，代工制造与材料研究并进。
核心结论：
- 晶圆代工领跑：晶合集成、华虹系、台积电占据前列，碳化硅器件制造是竞争核心。
- 华虹系强势：华虹宏力、华虹无锡等关联主体合计超百件，形成集团化布局。
- 高校深度参与：西安交大、哈工大、山东大学、西电等聚焦衬底、外延等材料基础研究。
- 技术集中于电学与化学：IPC主分类H部（电学）2,392件、C部（化学）2,192件，合计占比超六成。
数据来源：佰腾科技大数据中心（统计周期：2026年1月–2026年8月13日，检索总量7,170件）
数据来源与声明
本文数据来源于佰腾科技大数据中心真实统计，分析解读由佰腾知识产权研究团队提供。所有数据均可通过佰腾网（baiten.cn）公开查询验证。
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