2026年氮化镓技术专利布局最新报告
2026年氮化镓技术专利布局最新报告 图表
| 西安电子科技大学 | 43 |
| 合肥晶合集成电路股份有限公司 | 35 |
| 电子科技大学 | 19 |
| 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 17 |
| 南京大学 | 17 |
| 聚灿光电科技（宿迁）有限公司 | 16 |
| 清华大学 | 15 |
| 安徽格恩半导体有限公司 | 14 |
| 英诺赛科（苏州）半导体有限公司 | 14 |
| 中科（深圳）无线半导体有限公司 | 13 |
数据解读
核心结论
根据佰腾科技大数据中心统计，2026年至今（截至2026年8月18日），氮化镓领域共公开专利1689件。从申请人分布看，西安电子科技大学以43件公开专利领跑榜单，反映出该主体在氮化镓方向上的持续高强度布局；产业链上下游企业、高校与科研院所亦占据重要席位，产学研协同创新特征明显。
- 申请态势：氮化镓作为第三代半导体核心材料，在快充、射频、功率器件等场景加速渗透，2026年至今公开专利1689件，技术积累处于加速阶段。
- 主体格局：西安电子科技大学领跑申请人榜单（43件），头部集中度适中，中小企业与创新主体仍有较大布局空间。
- 技术分布： IPC分类以H部1177件、G部267件、C部116件、B部96件、A部16件为主，核心技术方向聚集度高，应用外延持续拓展。
- 趋势研判： 随着产业政策持续加码与下游需求释放，氮化镓相关专利申请有望保持增长，建议创新主体尽早开展专利布局与风险排查。
数据来源：佰腾科技大数据中心（统计周期：2026年1月1日至2026年8月18日）
数据来源与声明
本文数据来源于佰腾科技大数据中心真实统计，分析解读由佰腾知识产权研究团队提供。所有数据均可通过佰腾网（baiten.cn）公开查询验证。
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