选择性多晶硅薄膜的钝化接触结构 - 佰腾专利检索

摘要:

本实用新型公开了一种选择性多晶硅薄膜的钝化接触结构,在晶体硅表面制备有一层厚度<2?nm?的二氧化硅层,在二氧化硅层表面制备掺杂多晶硅薄膜,所述掺杂多晶硅薄膜在无金属接触区域具有第一厚度,在有金属接触区域具有第二厚度,且第一厚度小于第二厚度,在多晶硅薄膜的第二厚度区域表面形成金属电极。本实用新型使传统的丝网印刷技术能够和钝化接触技术有效地结合在一起,有利于将钝化接触技术推向量产,同时,有效地提高太阳电池的效率。 - 佰腾专利检索

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