功率IC器件 - 佰腾专利检索

摘要:

本实用新型涉及一种功率IC器件,包括设置在同一芯片上的表层沟道CMOS晶体管和沟槽型功率IGBT晶体管,所述的沟槽型功率IGBT晶体管的发射极和所述的表层沟道CMOS晶体管的栅极设置在同一水平面。本实用新型功率IC器件,采用沟槽型功率IGBT晶体管结构取代传统的平面型IGBT结构,并与表层沟道CMOS晶体管形成在同一个芯片上,这样会在单位面积内增加管芯数,从而提高产量,增加效益。 - 佰腾专利检索

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