本发明涉及太阳能电池制造技术领域,尤其是一种薄膜的生长方法,主要步骤为对太阳能用晶体硅片进行表面制绒,送入氧化炉进行氧化工艺,对氧化膜进行退火处理,然后进行后续太阳能电池工艺。本发明氧化膜生长速度快,质量高,钝化性能优越;硅片在低温下进出炉管,氧化膜应力小,缺陷少;本发明的氧化工艺和退火工艺在同一个设备中进行,产量高。 - 佰腾专利检索
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