正面钝化的RIE制绒晶体硅电池 - 佰腾专利检索

摘要:

本实用新型涉及一种RIE制绒晶体硅电池,特别是一种正面钝化的RIE制绒晶体硅电池,在RIE制绒晶体硅电池的正面具有SiO2和SiNx的叠层薄膜,作为RIE制绒晶体硅电池的正面钝化层,SiO2层在SiNx层的下方。SiO2层的厚度为5~20nm,所述的SiO2和SiNx的叠层薄膜的总厚度为70~90nm。与单层SiNx薄膜相比,将SiO2/SiNx双层薄膜作为正面钝化层应用于RIE制绒晶体硅电池有以下优点:1.SiO2薄膜能够有效饱和表面悬挂键,降低其与硅片的界面态密度。2.SiNx薄膜内具有很高的正电荷密度,在硅片表面形成内建电场,降低表面的电子或空穴浓度,从而降低载流子复合速率。 - 佰腾专利检索

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