能抗PID效应的太阳电池钝化减反膜 - 佰腾专利检索

摘要:

本发明公开了一种能抗PID效应的太阳电池钝化减反膜,有两种结构,第一种:该钝化减反膜的底层为钝化减反层SiNx,折射率为2.0-2.1,厚度为70-80nm;该钝化减反膜的顶层为导电层非晶硅层,厚度为3-10nm。第二种:该钝化减反膜的底层为钝化层SiNx,折射率为2.2-2.3,厚度为9-11nm;b、该钝化减反膜的中间层为导电层非晶硅层,厚度为3-10nm;该钝化减反膜的顶层为减反层SiNx层,折射率为2.0-2.1,厚度为60-70nm。应用本发明所述钝化减反膜的太阳电池,可从电池端有效地预防PID效应,且本发明基于目前的传统传统电池工艺,只改变减反膜的成分和厚度组合,能与目前的电池工艺兼容,易于实现。本发明所述能抗PID效应的钝化减反膜,适用于传统P型电池,也适用于高效背钝化电池,EWT、MWT电池,N型IBC电池等。 - 佰腾专利检索

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