一种具有场截止结构的IGBT - 佰腾专利检索

摘要:

本实用新型涉及一种具有场截止结构的IGBT,包括背面金属层、P+集电极区、N-漂移区、P阱区、第一N+发射极区、第二N+发射极区、栅氧层、绝缘层、电极;第一N+发射极区、第二N+发射极区设置在P阱区内且相互隔开;电极的左侧设有栅氧层和绝缘层结构,电极的右侧也设有栅氧层和绝缘层结构,绝缘层将栅氧层与电极隔开;左侧的栅氧层与N-漂移区、P阱区、第一N+发射极区的部分相连;右侧的栅氧层与N-漂移区、P阱区、第二N+发射极区的部分相连;栅氧层与绝缘层之间设有多晶硅层;P+集电极区设有沟槽,沟槽内填设有二氧化硅;所述P+集电极区与N-漂移区之间设有N+缓冲区。本实用新型大大优化了器件的电性能。 - 佰腾专利检索

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