背接触异质结太阳电池及其制备方法 - 佰腾专利检索

摘要:

本发明公开了一种背接触异质结太阳电池及其制备方法,背接触异质结太阳电池包括硅片基体层,硅片基体层的背面具有P型接触区域和N型接触区域,P型接触区域呈向硅片基体层凹陷的内曲面结构,并且P型接触区域由内至外依次为背面本征层、发射极、导电介质层和发射极电极;N型接触区域由内至外依次为背面本征层、背电场层、导电介质层和背电场电极。本发明不仅可以改善背接触异质结太阳电池的结特性,而且有助于入射光在基底内部的广角散射,增加吸收层的有效光程,进而提升电池的整体性能。 - 佰腾专利检索

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