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本实用新型公开了一种基于钝化接触技术的全背电极太阳能电池,包括:P型硅基体,该P型硅基体的背表面具有金属接触区域和非金属接触区域;隧穿氧化层,设置于所述P型硅基体背表面的非金属接触区域上;局域背场,设置于所述P型硅基体背表面的金属接触区域上;多晶硅薄膜层,设置于所述隧穿氧化层上;共晶层,设置于局域背场上;介质膜钝化层,设置在所述多晶硅薄膜层以及非金属接触区域上;金属正电极,设置在局域背场上;金属负电极,设置在多晶硅薄膜层上。本实用新型为采用以P型晶体硅作为衬底,结合钝化接触技术制备得到全背电极太阳能电池,大大提升了P型晶体硅也在全背电极太阳能电池技术方面的应用前景。 - 佰腾专利检索