一种黑硅表面清洗方法及黑硅电池制备方法 - 佰腾专利检索

摘要:

本发明提供了一种黑硅表面清洗方法以及黑硅电池的制备方法,通过如下步骤完成黑硅表面清洗:1)、将黑硅硅片放在混合溶液A中浸泡10~60分钟;2)、使用循环去离子水清洗1~3次;3)、再次使用循环去离子水对步骤2)中清洗过的黑硅硅片清洗1~3次;4)、将步骤3)中烘干后的黑硅硅片至于氧气中,用低压水银灯产生的紫外光照射黑硅表面进行光清洗。本发明公开的方法,不仅能够提高黑硅电池的转换效率,工艺参数具体,便于控制,而且简单易行,适合工业化生产。 - 佰腾专利检索

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