背接触异质结太阳电池及其制备方法 - 佰腾专利检索

摘要:

本发明公开了一种全背型异质结太阳电池,包括硅基体层,其特征在于:在硅基体层的前表面依次设置前N型表面场和减反层,在硅基体层的背表面设置本征非晶硅钝化层,在本征非晶硅钝化层上间隔地设置有P型非晶硅层和N型非晶硅层,P型非晶硅层和N型非晶硅层上分别设置有透明导电薄膜层,透明导电薄膜层上设置有电极,所述P型非晶硅层的厚度为5-20nm,宽度为100-1000μm,N型非晶硅层的厚度为5-20nm,宽度为100-1000μm,相邻的P型非晶硅层的中心点与N型非晶硅层的中心点间隔150-3000μm,在所述P型非晶硅层与N型非晶硅层之间设置有绝缘隔离层。本发明还公开了一种全背型异质结太阳电池的制备方法。本发明可防止漏电流的产生,提升太阳电池的开路电压。 - 佰腾专利检索

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