一种制备竹节状SiC纳米线的方法 - 佰腾专利检索

摘要:

本发明公开了一种制备竹节状SiC纳米线的方法,将打磨抛光烘干后的块状石墨材料置于沉积炉中,低压1kPa下通电升温至预定温度后,向装有甲基三氯硅烷的鼓泡瓶中通入载气氢气,将反应气源带入炉堂内进行反应。沉积结束后随炉冷却至室温,即可得到大量高纯竹节状SiC纳米线。本发明制备工艺简单,不需要预先合成工艺;沉积温度较低,降低了能耗和制备成本;制备的竹节状SiC纳米线纯度较高;可通过工艺参数的调节实现竹节状SiC纳米线的可控生长,易于实现工业生产;解决了现有技术中竹节状SiC纳米线制备工艺较为复杂、合成温度高、能耗大、成本高、产物难以控制的问题。 - 佰腾专利检索

使用键盘键 进行切换
个性化你的检索平台
免广告 去掉
广告
联系
我们
专利探索者
群号:580132322
立即加入
专利探索者
媛媛 1402342359
立即咨询
专利探索者
小倩 3326349102
立即咨询
意见
反馈
用户
手册
返回
顶部