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本发明涉及切割硅片的后处理技术领域,特别是一种金刚线切割硅片的清洗方法。该方法如下:经过脱胶后的硅片分别在碱性清洗剂和乳酸中进行粗洗,碱性清洗剂的pH=9~10,温度30~50℃,乳酸的温度为60℃,然后分别在碱性清洗剂和纯水中进行精洗,碱性清洗剂的pH=9~10,温度70~90℃。该清洗方法的根本革新在于:通过对硅片清洗液的pH的提高、以及温度的提高,使得其硅片表面更加干净,表面损伤层去除更大,同时对于硅片的碱制绒工艺起到表面活化作用。这样硅片在制绒时,金字塔绒面的覆盖率较高,绒面比较均一。 - 佰腾专利检索