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本发明涉及晶体硅太阳能电池工艺技术领域,尤其是一种适用于RIE绒面的三明治结构正面介质膜及其制备方法。这种适用于RIE绒面的三明治结构正面介质膜,包括底层SiO2薄膜,在底层SiO2薄膜表面覆盖有中间层SiNx薄膜,中间层SiNx薄膜表面覆盖有表层SiO2薄膜。这种适用于RIE绒面的三明治结构正面介质膜的制备方法,包括:(1)、在硅片绒面用干氧氧化方法生长一层SiO2薄膜;(2)、采用PECVD的方法沉积一层富硅的SiNx薄膜;(3)、采用PECVD的方法沉积一层SiO2薄膜。本发明能够有效钝化RIE制绒晶体硅电池,使电池的开路电压提升3-5mV,转换效率提升0.2%-0.4%。 - 佰腾专利检索