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本实用新型公开了一种沟槽型FRD芯片,包括N+衬底层、N-外延层、P型掺杂区、氧化层、铝层和金属层,所述N-外延层设置在N+衬底层上,所述P型掺杂区设置在N-外延层上,所述氧化层设置在终端区的P型掺杂区上,所述铝层设置在有源区的P型掺杂区上,所述金属层设置在N+衬底层远离N-外延层的一侧,所述终端区的P型掺杂区内刻蚀有终端区沟槽,所述有源区的P型掺杂区内刻蚀有有源区沟槽,所述终端区沟槽和有源区沟槽内填充有氧化物。本实用新型中沟槽型结构有效的减少了正向压降,降低了漏电的风险,保证了其使用过程中的高效和安全,且结构简单,有效的降低了生产成本。 - 佰腾专利检索