一种沟槽型CoolMOS - 佰腾专利检索

摘要:

本实用新型属于半导体器件技术领域,一种沟槽型CoolMOS,由下到上依次包括背面金属层、N+衬底、N?外延层、P?阱区、n+源区、绝缘层和正面金属层;N+衬底上设置有贯通N+衬底的若干超结沟槽,超结沟槽一端延伸至N?外延层,超结沟槽内填充有P型硅;P?阱区设置有贯通P?阱区和n+源区的若干栅极沟槽,栅极沟槽一端延伸至N?外延层,栅极沟槽内填充有多晶硅,多晶硅与栅极沟槽之间通过栅氧间隔设置;n+源区设置有贯通n+源区和绝缘层的若干接触孔,接触孔一端延伸至P?阱区,接触孔内填充有导电金属,且导电金属与正面金属层接触。正面采用栅极沟槽结构,背面挖槽,填充P型硅,达到多次注入扩散P型离子的效果。 - 佰腾专利检索

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