一种新结构晶体硅太阳电池及其制备方法 - 佰腾专利检索

摘要:

本发明涉及一种新结构晶体硅太阳电池及其制备方法,包括N-Type硅片本体,N-Type硅片本体的上、下表层分别具有B掺杂区组,相邻B掺杂区之间分别刻蚀有隔离槽,N-Type硅片本体的上、下表层上分别镀有氧化铝层,氧化铝层上镀有氮化硅层,氮化硅层上丝网印刷有电极。将电池分成若干子电池,子电池串联可以将硅片本身缺陷带来的电性能的损害降低到最小;电池双面受光,可以最大限度的吸收光子;电池的两面只有两根栅线,完全避免了遮光效应;钝化了所有硅片表面,使得每一个子电池都可以获得最佳性能。 - 佰腾专利检索

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