N型双面电池的双面扩散方法 - 佰腾专利检索

摘要:

本发明涉及一种N型双面电池的双面扩散方法,该方法首先在N型硅衬底的上表面通过第一次扩散工艺在N型硅衬底的一面形成n+层或p+层后,然后通过LPCVD双面沉积SiN薄膜;接着在已经形成扩散层的上表面通过PECVD的方法单面沉积SiO2薄膜;之后利用热磷酸去除下表面的SiN薄膜;接着对硅片进行清洗后完成对下表面的扩散。本发明利用高致密度的LPCVD?SiN作为扩散阻挡层实现N型电池的双面扩散,避免了传统工艺中采用热氧化SiO2薄膜作为扩散阻挡层时所经历的高温过程,保证一次扩散曲线及硅衬底的杂质浓度不变,实现了N型双面电池良好的电接触性能,并有效降低电池的体复合速率。 - 佰腾专利检索

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