一种多晶硅片的钝化处理方法 - 佰腾专利检索

摘要:

本发明公开了一种多晶硅片的钝化处理方法,具有如下步骤:a、将多晶硅片背面抛光;b、将多晶硅片背面用化学试剂清洗后,淋干水滴;c、低温处理,在80~90℃的温度下将硅片烘干,烘干时间为一小时;d、使用PECVD法对多晶硅片进行等离子氧化铝薄膜的沉积,沉积后在硅片表面形成小于2nm厚度的SiO2薄膜层;e、热处理,将沉积后的多晶硅片在400℃温度下进行退火处理;f、测试,对多晶硅片进行稳定状态下的少子寿命测试。本发明通过硅片的前期湿-热处理,在硅片表面形成了一个极薄的SiO2薄膜,且这层薄膜中富含水汽所带来的羟基,为与氧化铝中的氧原子的结合提供了很好的化学结构基础,有效地提升了硅片钝化效果及稳定性。 - 佰腾专利检索

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