一种利用SiN薄膜针孔形成局部掺杂或金属化的方法 - 佰腾专利检索

摘要:

本发明涉及一种利用SiN薄膜针孔形成局部掺杂或金属化的方法,所述的方法包括以下工艺步骤:采用PECVD方法制得AlOx/SiN或SiO2/SiN叠层薄膜、碱性溶液浸泡、局部掺杂或金属化。本发明简化了工艺流程,降低了电池制备成本,达到良好的钝化效果,同时保持较好的接触性能。 - 佰腾专利检索

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