非接触式控制铸锭单晶硅籽晶熔化剩余高度的方法 - 佰腾专利检索

摘要:

本发明涉及一种非接触式控制铸锭单晶硅籽晶熔化剩余高度的方法,具有如下步骤:1)在坩埚底部铺设籽晶;2)在籽晶上铺设低堆积密度硅料层;3)在低堆积密度硅料层上,铺设高堆积密度硅料层;4)在高堆积密度硅料层上放入掺杂剂及其它多晶硅原料;5)将按照1至4步骤进行装料的坩埚置于铸锭炉中熔化,通过激光测距仪实时测量硅熔体液面;6)当监测到硅熔体液面高度加快下降时,控制铸锭炉由熔化阶段跳步至长晶阶段,并开始向上结晶。该方法通过装料方式和激光测量液位相结合的方式,来控制籽晶熔化剩余高度,具有精度高、稳定、自动化程度高、成本低等优点,可以稳定得把铸锭单晶生产熔化过程籽晶剩余高度控制在目标值±2mm范围内。 - 佰腾专利检索

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