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本发明涉及一种全背电极太阳能电池的生产方法,具有如下步骤:1.单面硼扩散,在N型硅片背面形成P+层;2.在P+层上沉积制绒掩膜层;3.单面制绒;4.磷扩散在硅片受光面制备前表面场;5.去掉制绒掩膜层及PSG;6.热氧化生长SiO2掩膜层;7.在硅片背面的背面场区域进行开槽,槽深H要大于等于P-N结结深+背面场的深度;8.在开槽区域底部印刷高度小于槽深H减去P-N结深的含磷的掺杂剂;9.高温扩散,在槽底部形成N+层;10.去掉PSG及SiO2掩膜层;11.正反面制作钝化膜;12.丝网印刷金属电极;13.烧结。本发明的有益效果是:利用P+与N+区域的高度差就是基体N区域,大大提升了电池效率且降低了生产成本,适合规模化生产。 - 佰腾专利检索