2026年NAND闪存技术专利布局最新报告
2026年NAND闪存技术专利布局最新报告 图表
| 三星电子株式会社 | 15 |
| 芯盛智能科技（湖南）有限公司 | 15 |
| 山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司 | 10 |
| 合肥康芯威存储技术有限公司 | 9 |
| 长鑫科技集团股份有限公司 | 8 |
| 深圳佰维存储科技股份有限公司 | 7 |
| IPC G部（物理） | 314 |
| IPC H部（电学） | 54 |
| IPC A部（人类生活必需） | 5 |
| IPC B部（作业运输） | 4 |
数据解读与趋势分析
根据佰腾科技大数据中心统计，2026年1月1日至8月21日，全球公开的NAND闪存相关专利申请共385件。申请人方面，三星电子株式会社以15件申请量位居首位，显示出其在NAND闪存领域的积极布局。从技术分布看，G部（物理）314件、H部（电学）54件、A部（人类生活必需）5件、B部（作业运输）4件，反映出该领域的技术创新重点方向。
核心结论
- NAND闪存领域2026年专利总量达385件，创新热度持续攀升；
- 三星电子株式会社以15件申请领跑，头部企业/机构优势明显；
- 技术布局集中于G部（物理）方向，产业链研发协同效应显现。
数据来源：佰腾科技大数据中心（统计周期：2026年1月1日至8月21日）
数据来源与声明
本文数据来源于佰腾科技大数据中心真实统计，分析解读由佰腾知识产权研究团队提供。所有数据均可通过佰腾网（baiten.cn）公开查询验证。
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