IGBT元胞结构 - 佰腾网专利查询 - 全球专利搜索领导品牌

摘要:

本实用新型涉及一种IGBT元胞结构,IGBT元胞结构的多晶硅孔为八边形。本实用新型IGBT元胞结构及其制造工艺,(1)IGBT有源区元胞也就是多晶硅孔,类似八边形,但较八边形形状平滑。此形状结合整个IGBT元胞结构,较现有的六边形、长条形、方形元胞结构,具有电流密度大,通态压降低,工艺制作简单等优点,(2)本实用新型能够较好的折中导通损耗和开关损耗之间的关系。 - 佰腾网专利查询 - 全球专利搜索领导品牌

IGBT元胞结构
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