IGBT元胞结构 - 佰腾专利检索

摘要：

本实用新型涉及一种IGBT元胞结构，IGBT元胞结构的多晶硅孔为八边形。本实用新型IGBT元胞结构及其制造工艺，(1)IGBT有源区元胞也就是多晶硅孔，类似八边形，但较八边形形状平滑。此形状结合整个IGBT元胞结构，较现有的六边形、长条形、方形元胞结构，具有电流密度大，通态压降低，工艺制作简单等优点，(2)本实用新型能够较好的折中导通损耗和开关损耗之间的关系。 - 佰腾专利检索