防漏电的功率器件 - 佰腾专利检索

摘要：

本实用新型涉及一种具有防漏电的功率器件，包括芯片和由芯片表面自下而上的栅氧化层、绝缘层、电极及金属层，所述的电极的左侧设置栅氧化层和绝缘层，所述的电极的右侧也设置栅氧化层和绝缘层，栅氧化层和绝缘层之间设有多晶硅层，绝缘层将栅氧化层与电极隔开，左侧的栅氧化层和多晶硅层与左侧的绝缘层接触的一侧具有第一SIN侧墙，右侧的栅氧化层和多晶硅层与右侧的绝缘层接触的一侧具有第二SIN侧墙。本实用新型沉积一层SIN薄膜，形成SIN侧墙，可以对IGBT、VDMOS栅极起到一个很好的保护作用，从而减小栅极在高压、大电流下的漏电，提高产品可靠性。 - 佰腾专利检索