一种晶体硅RIE制绒的表面损伤层清洗工艺 - 佰腾网专利查询 - 全球专利搜索领导品牌

摘要：

本发明涉及一种晶体硅RIE制绒的表面损伤层清洗工艺，首先对硅片表面损伤层进行去离子水表面预清洗；然后利用HF、HNO3与水或醋酸按体积比HF∶HNO3∶水或醋酸＝1∶50∶100的混合溶液进行第一次去损伤清洗；之后再次进行去离子水清洗；然后采用HN4OH、H2O2与H2O按体积比HN4OH∶H2O2∶H2O＝1∶1∶5的混合溶液在60℃～75℃进行二次清洗刻蚀，二次清洗时间控制在5～15分钟的范围；完成后用0.5％浓度的HF溶液进行沾洗；最后用去离子水进行清洗。本发明适用于晶体硅RIE制绒的精细化表面结构的去损伤过程，更好地保证刻蚀过程不对硅片表面精细的绒面结构产生影响。 - 佰腾网专利查询 - 全球专利搜索领导品牌

一种晶体硅RIE制绒的表面损伤层清洗工艺
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