本实用新型涉及一种带有局部冷却装置的多晶硅热场,包括由上炉体和下炉体组成的炉腔,所述的炉腔内设置有一个保温腔,所述的保温腔底板上设置有冷却器,所述的冷却器呈回字型往复结构布置,冷却器的底部连通有导管,所述的导管穿过保温腔底板延升至炉腔外部。采用本实用新型可以增加多晶硅助凝块底部温度分布的均匀性,在利用籽晶诱导法生长铸锭单晶时,在化料后期强化边缘冷却效果,保护籽晶不被完全融化;在化料过程中可以提高热场温度,加快籽晶以上部分硅料的熔化速度,缩短生长周期;能够减少晶体内由于温度梯度差引起的位错等晶体缺陷密度,提高晶体质量;在结晶初期,提高径向温度梯度,促进晶粒横向生长,增大多晶硅柱状晶晶粒的直径。 - 佰腾网专利查询 - 全球专利搜索领导品牌
带有局部冷却装置的多晶硅热场