一种消除B掺杂晶硅太阳电池光致衰减的方法及其设备 - 佰腾专利检索

摘要:

本发明公开了一种消除B掺杂晶硅太阳电池光致衰减的方法,依次包括如下步骤:S1:将电池片在第一温度下进行高光照处理,持续第一时间;S2:将电池片在第二温度下进行高光照处理,持续第二时间;S3:将电池片在第三温度下进行高光照处理,持续第三时间;其中,第二时间长于第一时间和第二时间,高光照处理的光照强度范围为1×103w/m2~3×106w/m2。本发明还公开了一种消除B掺杂晶硅太阳电池光致衰减的设备,包括:传输轨道,用于输送电池片;以及沿输送路径依次设置的第一光照区、第二光照区以及第三光照区。本发明可以极大程度上、甚至完全消除与光致衰减相关的复合中心,从而抑制衰减,实现电池的高效和高可靠性。 - 佰腾专利检索

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