一种去除RIE制绒后晶体硅表面的微损伤层的方法 - 佰腾网专利查询 - 全球专利搜索领导品牌

摘要：

本发明涉及硅片表面处理方法领域，特别是一种去除RIE制绒后晶体硅表面的微损伤层的方法，其利用CH3COOH稀释的HNO3、HF的混合酸性液体对RIE后的硅片进行清洗，其中CH3COOH的体积百分比为0.1-10％，HNO3的体积百分比为85.0％-99.5％，接着在200℃-400℃，N2气氛下热处理1-30min。本发明和普通的去损伤工艺相比：采用无水酸性刻蚀液体，同时增加刻蚀溶液中的HNO3比例，因此刻蚀速率适中使得工艺容易控制，并且刻蚀均匀性好，保留了RIE绒面本身的微观结构，适用于产业化生产；结合后续热处理工艺，能够进一步减少硅片表面的微损伤层，并有效去除化学残留物。 - 佰腾网专利查询 - 全球专利搜索领导品牌

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