一种HIT太阳电池结构及其制作方法 - 佰腾专利检索

摘要:

本发明涉及一种HIT太阳电池结构及其制作方法,在N型硅衬底的正反面首先热氧化SiO2层做为掩膜;在正面SiO2层上进行开孔;在正面依次沉积本征非晶硅层、P型非晶硅层;之后沉积AL2O3薄膜;在AL2O3薄膜上开孔;然后沉积透明导电薄膜作为窗口层;最后再采用浆料丝网印刷Ag栅极;在电池的背面,首先仍然是对SiO2层开孔,然后依次沉积本征非晶硅层、N型非晶硅层,然后沉积透明导电薄膜;最后再丝网印刷Ag栅极,从而形成一个完整的电池器件。本发明的有益效果是:与三洋的HIT电池相比,本发明的HIT电池简化了清洗工艺,利于实现产业化。且能有效地降低表面复合速率,提高电池效率。 - 佰腾专利检索

使用键盘键 进行切换
个性化你的检索平台
免广告 去掉广告
联系我们
专利探索者
群号:580132322
立即加入
专利探索者
媛媛 1402342359
立即咨询
专利探索者
小倩 3326349102
立即咨询
意见反馈
用户手册
返回顶部