一种HIT太阳电池结构及其制作方法 - 佰腾专利检索

摘要：

本发明涉及一种HIT太阳电池结构及其制作方法，在N型硅衬底的正反面首先热氧化SiO2层做为掩膜；在正面SiO2层上进行开孔；在正面依次沉积本征非晶硅层、P型非晶硅层；之后沉积AL2O3薄膜；在AL2O3薄膜上开孔；然后沉积透明导电薄膜作为窗口层；最后再采用浆料丝网印刷Ag栅极；在电池的背面，首先仍然是对SiO2层开孔，然后依次沉积本征非晶硅层、N型非晶硅层，然后沉积透明导电薄膜；最后再丝网印刷Ag栅极，从而形成一个完整的电池器件。本发明的有益效果是：与三洋的HIT电池相比，本发明的HIT电池简化了清洗工艺，利于实现产业化。且能有效地降低表面复合速率，提高电池效率。 - 佰腾专利检索