一膜多用的掩膜后制绒太阳能电池的制备方法及其结构 - 佰腾专利检索

摘要:

本发明涉及光伏电池制造技术领域,特别是一种一膜多用的掩膜后制绒太阳能电池的制备方法及其结构,以P型直拉单晶硅为基体,在P型背面场上制作SiO2薄膜,SiO2薄膜作为正面碱溶液制绒的掩膜,在制绒完成后进行磷源扩散,在正面制备P-N结,SiO2薄膜和SiNx薄膜在磷源扩散后并不会完全去除,保留10-150nmSiO2薄膜作为背面钝化膜;或者以N型直拉单晶硅为基体,在N型背面场上制作SiO2薄膜,SiO2薄膜作为正面碱溶液制绒和硼源扩散的掩膜,磷源扩散后并不会完全去除,保留10-150nmSiO2薄膜作为背面钝化膜。本发明的有益效果是:与现有工艺方法相比,工艺过程简单,容易控制,成本低,光电转换效率高。 - 佰腾专利检索

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