高转化效率抗PID的N型晶体硅双面电池及其制备方法 - 佰腾专利检索

摘要:

本发明公开了一种高转化效率抗PID的N型晶体硅双面电池,在N型硅衬底的正面依次形成P+层、氧化硅层、氧化铝层和金属电极,在N型硅衬底的背面依次形成N+层、氮化硅层和金属电极,其特征在于:在正面金属化区域下方存在一层20nm以上的致密氧化硅层,该氧化硅层的宽度比金属栅线宽200um以上。同时,本发明还公开了一种制备所述高转化效率抗PID的N型晶体硅双面电池的方法。本发明提供的N型晶体硅双面电池平均效率高于21.5%,并能有效的通过温度为85度、湿度为85%、持续时间为96h的PID测试。 - 佰腾专利检索

使用键盘键 进行切换
个性化你的检索平台
免广告 去掉
广告
联系
我们
专利探索者
群号:580132322
立即加入
专利探索者
媛媛 1402342359
立即咨询
专利探索者
小倩 3326349102
立即咨询
意见
反馈
用户
手册
返回
顶部