高转化效率抗PID的N型晶体硅双面电池及其制备方法 - 佰腾专利检索

摘要：

本发明公开了一种高转化效率抗PID的N型晶体硅双面电池，在N型硅衬底的正面依次形成P+层、氧化硅层、氧化铝层和金属电极，在N型硅衬底的背面依次形成N+层、氮化硅层和金属电极，其特征在于：在正面金属化区域下方存在一层20nm以上的致密氧化硅层，该氧化硅层的宽度比金属栅线宽200um以上。同时，本发明还公开了一种制备所述高转化效率抗PID的N型晶体硅双面电池的方法。本发明提供的N型晶体硅双面电池平均效率高于21.5%，并能有效的通过温度为85度、湿度为85%、持续时间为96h的PID测试。 - 佰腾专利检索