一种GaN HEMTs及降低器件欧姆接触阻值的方法 - 佰腾网专利查询 - 全球专利搜索领导品牌

摘要：

本发明涉及一种GaN HEMTs及降低器件欧姆接触阻值的方法，属于微电子器件技术领域。膜层结构自下而上依次为衬底、成核层、缓冲层、插入层、势垒层和帽层；金属电极穿过帽层生长在势垒层上。本发明在退火前增加了Asher+HCl循环处理这一步骤，通过氧气等离子处理和盐酸结合进行多次循环工艺，实现了低损伤、低刻蚀速率、刻蚀厚度可控的刻蚀技术，此外，Asher处理可以去除光刻显影后残留在表面的光刻胶，盐酸清洗可以去除GaN帽层表面形成的自然氧化物，从而保证金属电极与材料之间的直接接触，奠定退火后形成良好欧姆接触的基础。结果表明，随着Asher处理次数的增加，比接触电阻率呈线性下降。 - 佰腾网专利查询 - 全球专利搜索领导品牌

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