一种低损伤高钝化的太阳能电池 - 佰腾网专利查询 - 全球专利搜索领导品牌

摘要：

本实用新型涉及一种低损伤高钝化的太阳能电池，具有太阳能电池硅片，所述的太阳能电池硅片正面具有厚度为5～20nm的SiO2薄膜层，所述的SiO2薄膜层正面具有厚度为30～50nm折射率为2.3～2.7的第一氮化硅薄膜层，所述的第一氮化硅薄膜层正面具有厚度为35～50nm折射率为1.8～2.0的第二氮化硅薄膜层。本实用新型提高了电池片的钝化效果，减弱了PECVD对晶体硅表面损伤，降低对太阳波长的反射，提高对光的吸收率，从而提高电池效率。 - 佰腾网专利查询 - 全球专利搜索领导品牌

一种低损伤高钝化的太阳能电池
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