本实用新型涉及一种低损伤高钝化的太阳能电池,具有太阳能电池硅片,所述的太阳能电池硅片正面具有厚度为5~20nm的SiO2薄膜层,所述的SiO2薄膜层正面具有厚度为30~50nm折射率为2.3~2.7的第一氮化硅薄膜层,所述的第一氮化硅薄膜层正面具有厚度为35~50nm折射率为1.8~2.0的第二氮化硅薄膜层。本实用新型提高了电池片的钝化效果,减弱了PECVD对晶体硅表面损伤,降低对太阳波长的反射,提高对光的吸收率,从而提高电池效率。 - 佰腾网专利查询 - 全球专利搜索领导品牌
一种低损伤高钝化的太阳能电池